恒溫恒壓電化學(xué)陽及氧化法成功合成了孔徑為40 ~ 50 nm的高鋁球石。孔徑大小可以通過鉸孔過程輕松控制。該方法制備的鎳納米線陣列基于高鋁球石，采用直流和交流電化學(xué)沉積法合成了高度有序的鎳納米線陣列。用掃描電鏡、XRD、TEM和MPMS對納米線陣列的形貌、結(jié)構(gòu)和磁性進行了表征和分析。
　　在該方法制備的鐵及其硫化物納米線陣列的基礎(chǔ)上，采用交流電化學(xué)沉積法合成了高度有序的鐵納米線陣列。用掃描電鏡、XRD和MPMS對制備的鐵納米線陣列進行了表征和分析。利用沉積在高鋁球石上的金屬鐵納米線陣列，通過硫化工藝獲得其硫化物納米線陣列。通過掃描電鏡和XRD對硫化后納米線陣列的形貌和晶體結(jié)構(gòu)進行了表征和分析。
　　采用二次陽及氧化法在草酸溶液中制備了具有規(guī)則孔隙分布的高鋁球石。此外，以陽及氧化鋁膜為例，采用DC沉積法在高鋁球石上沉積了鎳納米線。此外采用浸漬還原法在有序高鋁球石中制備了鎳納米管，并對其進行了表征。采用二次電化學(xué)陽及氧化的方法，在草酸溶液中，在高純鋁板表面制備了具有高度有序孔隙和六方密堆積的高鋁球石。
　　同時對一次陽及氧化和二次陽及氧化制備的氧化鋁薄膜中孔隙的有序原因進行了對比分析，并通過實驗進行了驗證。
小編：Casey